| alagrab |
|
 ويب ماستر
مجموعة: المدراء
رسائل: 858
حالة: Offline
| مشاركة
تعتبر منظمات الجھد من العناصر الھامة في دوائر قسم التغذیة بالقدرة الموجود على اللوحة الأم.
الھدف من وجود منظمات للجھد على اللوحة الأم ھو الحصول على جھد تغذیة منتظم لتشغیل العناصر الأساسیة على اللوحة الأم مثل المعالج بالإضافة إلى الدوائر المتكاملة الأخرى التي تؤدي الوظائف المختلفة للوحة الأم.
تستخدم كذلك دوائر تنظیم للجھد لتغذیة فتحة التوسعة Expansion Slot من نوع AGP الخاصة ببطاقة العرض Display Card.
ترتبط الأعطال في منظمات الجھد ارتباطا وثیقا بأعطال الملفات والمكثفات، وخاصة تلك التي تقوم بتنعیم الجھد الداخل من وحدة التغذیة بالقدرة إلى اللوحة الأم.
تستخدم كمنظمات للجھد على اللوحة الأم إما ترانزستورات من نوع MOSFET أو ثنائیات من نوع Schottky Diodes.
تتشابھ ترانزستورات MOSFET وثنائیات Schottky في الشكل الخارجي كثیرا، ولكن یمكن تحدید ما إذا كانت القطعة المقصودة أیا منھما بالإستعانة بالرموز المكتوبة علیھا للحصول على Datasheet لھذه القطعة
بعض اللوحات الأم تستخدم ترانزستورات MOSFET وثنائیات Schottky معا لبناء دوائر تنظیم الجھد.
عادة ما تتواجد ترانزستورات MOSFET المسئولة عن تنظیم الجھد في صورة مجموعات، تتكون كل منھا من 2 أو 3 ترانزستورات حسب تصمیم اللوحة الأم.
عادة ما تتواجد على اللوحة الأم مجموعتین من ترانزستورات MOSFET المسئولة عن تنظیم الجھد. ویكون الطرف الأوسط للترانزستورات في مجموعة واحدة فقط منھا متصلا مباشرة بمصدر التغذیة + 5 القادم من وحدة التغذیة بالقدرة
ویمكن التأكد من ذلك بتشغیل اللوحة الأم وقیاس الجھد على الطرف الأوسط لكل MOSFET منھا باستخدام جھاز الملتیمیتر.
یلاحظ أن الطرف الأوسط لترانزستور MOSFET یكون متصلا كھربیا بموضع لحام ال MOSFET على اللوحة الأم.
عند تغییر ترانزستور من نوع MOSFET تالف بآخر سلیم، لیس من الضروري أن یكون الترانزستور السلیم مطابق للتالف بنسبة 100%، وإنما یكفي أن یشترك معھ في بعض الخصائص الأساسیة، وھي:
النوع N-channel أو P-channel
جھد البوابة Regular Level Gate Voltage. أو Gate Voltage: Logic Level Gate Voltage
Power, Voltage, & Current Ratings.
مقاومة التوصیل On-Resistance
وعند تغییر ثنائي من نوع Schottky تالف بآخر سلیم، لیس من الضروري أن یكون الثنائي السلیم مطابق للتالف بنسبة 100% وإنما یكفي أن یشترك معھفي بعض الخصائص الأساسیة،
لا ینصح باستعمال قطع بدیلة مكافئة من نوع NTE لوجود اختلافات جذریة في خصائصھا عن القطع الأصلیة.
یمكن فك ترانزستور MOSFET أو ثنائي Schottky التالف من اللوحة الأم ولحام البدیل السلیم مكانھ إما باستخدام كاویة اللحام العادیة وھو ما أنصح بھ شخصیا لتجنب إلحاق تلفیات باللوحة الأم.أو باستخدام جھاز ال Hot Air Jet
في حالة ما إذا كانت اللوحة الأم التي یتم تغییر ترانزستور MOSFET أو ثنائي Schottky لھا مستخدمة لمدة طویلة، فإنھ ینصح كذلك بتغییر مكثفات التنعیم القریبة.
بعد تغییر ترانزستورات MOSFET أو ثنائي Schottky للوحة الأم، ینصح باختبار درجة حرارة القطع التي تم تغییرھا وكذلك تلك التي لم یتم تغییرھا والتأكد من أنھا في الحدود الطبیعیة (وھي درجة حرارة الغرفة). أما إذا وجد أن درجة حرارة القطع التي تم تغییرھا أعلى من الطبیعي فإن ھذا قد یعني ضرورة
تغییر الدائرة المتكاملة المسئولة عن تنظیم ومراقبة الجھد VRM والتي تقوم بتشغیل منظمات الجھد ھذه.
قبل اختبار الMOSFET إن كان تالفا أم لا، ینبغي فكھ أولا من اللوحة الأم.
|
| |
| |
